Fast genau ein Jahr nach der Vorstellung der ‘Stacked Silicon Interconnect‘-Technik (SSI) für FPGAs liefert Xilinx den ersten Baustein der Virtex-7-Familie, der diese 2,5D-Stapeltechnik nutzt, an ausgewählte Kunden als Muster aus. Der Virtex-7 2000T enthält 6,8 Mrd. Transistoren und 2 Mio. Logikgatter, was nach der Lesart von Xilinx 20 Millionen ASIC-Gattern entspricht.
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Weiterlesen... →Auch dieses Jahr nutzte Mentor Graphics die User2User-Konferenz zur Vorstellung einer ganzen Palette an neuen Produkten und Funktionen rund um das Thema PCB-Design, die im Laufe der nächsten zwölf Monate auf den Markt kommen werden.
Informationen aus erster Hand erhielten die 150 zahlenden Besucher der Konferenz in München am zweiten Tag der Veranstaltung. Gleich drei Anwendervorträge hatten Erfahrungen mit der Beta-Version von HyperLynx 8.2. zum Inhalt.
Atmel hat die ‚AVR XMEGA’-MCU-Familie um die Serie ‚AVR XMEGA B’ erweitert. Die Serie umfasst derzeit die vier Mikrocontroller ATxmega64B1, ATxmega128B1, ATxmega64B3 und ATxmega128B3, die jeweils mit einem LCD-Controller und 128 bzw. 64 kB Flash-Speicher ausgestattet sind. Ein SWAP-Mode sorgt dafür, dass das Routing der LCD-Signale intern verändert werden [...]
Weiterlesen... →Der intelligente nicht isolierte LED-Treiber FL7701 von Fairchild Semiconductor nutzt ein digitales Verfahren zur automatischen Abtastung der AC-Eingangsspannung, das in Verbindung mit einem speziellen internen Referenzsignal eine wirksame Leistungsfaktorkorrektur ermöglicht. Der Treiber arbeitet auch mit einer DC-Eingangsspannung und kann automatisch zwischen AC- und DC-Eingangsspannungen umschalten, wobei die PFC-Funktion automatisch zu- bzw. abgeschaltet wird.
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Weiterlesen... →Mentor Graphics hat die dritte Generation des Echtzeitbetriebssystems Nucleus mit Power-Management-Funktionen ausgestattet, die eine direkte Nutzung von Hardwaremerkmale wie Dynamic Voltage and Frequency Scaling (DVFS) ermöglichen. Zudem bietet die neue Version einen zertifizierten „IPv6 Ready“-Netzwwerk-Stack und Sicherheitsprotokolle sowie diverse Drahtloskommunikationsoptionen wie Wi-Fi, Bluetooth und Zigbee. Nucleus unterstützt eine große Zahl unterschiedlicher Architekturen und [...]
Weiterlesen... →Murata Power Solutions kündigt die SMD-Leistungsinduktivitäten der Serien 6000A und 6000B an. Die kompakten Induktivitäten wurden für die Energiespeicherung, Ein- oder Ausgangsfilterung sowie für den Einsatz in DC/DC-Wandlern entwickelt. Sie weisen nach Angaben des Unternehmens den derzeit branchenweit geringsten Gleichstromwiderstand auf. Beide Serien eignen sich für hohe Ströme und bieten eine große [...]
Weiterlesen... →Cree hat die Z-Rec-Familie, die aus 1.200V- Schottky-Dioden auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) besteht, um vier oberflächenmontierbare Bausteine erweitert. Die Halbleiter im SMD-Industriestandardgehäuse TO-252 D-Pak stehen in Versionen für Nennströme von 2 A (C4D02120E), 5 A (C4D05120E), 8 A (C4D08120E) und 10 A (C4D10120E) zur Verfügung. Entwickler von Photovoltaik-Mikrowechselrichtern und [...]
Weiterlesen... →Auf einer Pressekonferenz in München, bei der sich Texas Instruments und National Semiconductor erstmals als gemeinsames Unternehmen präsentiert haben, sind zwei neue synchrone 20V-Abwärtsregler mit integriertem FET-Treiber für nicht isolierte Point-of-Load-Schaltungen (PoL) im höheren Leistungsbereich vorgestellt worden: Der 2MHz-Einkanal-Controller TPS40400 von TI mit einem Eingangsspannungsbereich von 3 bis 20 V und einem maximalen [...]
Weiterlesen... →Der Synchron-Abwärts-Schaltregler LT3690 von Linear Technology ist jetzt als Hochtemperatur- sowie als Hochzuverlässigkeits-Version erhältlich. Die Regler arbeiten mit Eingangsspannungen von 3,9 V bis 36 V, verfügen über einen Überspannungsschutz bis 60 V, liefern Dauer-Ausgangsströme bis 4 A und erreichen Wirkungsgrade von bis zu 93%. Die Komponenten sind dadurch bestens für Anwendungen im Automobil [...]
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Benjamin Jackson von International Rectifier untersucht in seinem Beitrag „Performance to Value“ welche Möglichkeiten bestehen, um das Preis-Leistungsverhältniss von IGBTs und MOSFETs weiter zu verbessern. Als wenig aussichtsreich beurteilt er dabei die weitere Verkleinerung der Halbleiterstrukturen. Als einen gangbaren Weg sieht er dagegen die Optimierung der Gehäuse. Er zeigt anhand zweier Beispiel, was hier möglich ist.
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