Benjamin Jackson von International Rectifier untersucht in seinem Beitrag „Performance to Value“ welche Möglichkeiten bestehen, um das Preis-Leistungsverhältniss von IGBTs und MOSFETs weiter zu verbessern. Als wenig aussichtsreich beurteilt er dabei die weitere Verkleinerung der Halbleiterstrukturen. Als einen gangbaren Weg sieht er dagegen die Optimierung der Gehäuse. Er zeigt anhand zweier Beispiel, was hier möglich ist.
Die neue MOSFET-Familie von International Rectifier im neuen 2 x 2 mm kleinen PQFN-Gehäuse sind in 20V-, 25V- und 30V-Ausführungen und sowohl mit Standard- oder Logikpegel-Gate-Ansteuerung erhältlich. Sie nutzen modernste Niedervolt-N-Kanal- und P-Kanal-Siliziumtechniken. Damit bieten sie einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDSON) sowie eine hohe Leistungsdichte, die vergleichbar mit der eines PQFN3,3×3,3- oder PQFN5x6-Gehäuses ist.
Die [...]
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Das Schaltnetzteil-Control-IC IRS2548D von International Rectifier ist für energieeffiziente Anwendungen in der Hochleistungsausleuchtung mithilfe von LEDs konzipiert. Das Ansteuer-IC vereint eine Leistungsfaktorkorrektur (Power Factor Correction, PFC) mit einem Halbbrückentreiber in einem einzigen IC und bietet einen Wirkungsgrad von mehr als 88 Prozent bei einer Belastung mit einer HBLED (High-Brightness LED) für 40 V / [...]
Weiterlesen... →In seinem Fachbeitrag beleuchtet Dr. Michael A. Briere den Stand der GaN-on-Si-Technik und deren Wirtschaftlichkeit. Bisher verhinderten hohe Produktionskosten und eine beschränkte Zuverlässigkeit der neuen Leistungsbausteine deren breite Verwendung. Der Autor stellt in seinem Beitrag die GaNpowerIR-Plattform von International Rectifier vor, die die Herstellung stabiler und leistungsfähiger GaN-on-Si-Leistungskomponenten zu marktgerechten Kosten ermöglicht.
Unter dem Titel „Geschüttelt, nicht gerührt“ beleuchtet die E-Journal-Redakteurin Stefanie Eckardt das Reverse-Recovery-Verhalten (Sperrverzögerung) von Trench-Mosfets und Planar-Mosfets und bezieht sich dabei auf eine Studie von International Rectifier. Fazit der Studie: Trench-FETs weisen eine im Vergleich zu planaren Bausteinen überlegene Reverse-Recovery-Performance auf und sollten deshalb für schnell schaltende Anwendungen mit hohen Stromanstiegsgeschwindigkeiten in Betracht gezogen werden.
Der intelligente Leistungsschalter AUIR3330S von International Rectifier mit einem RDSON von 3,5 mOhm zeichnet sich durch eine proprietäre aktive di/dt-Regelung aus, welche die entstehenden EMI- und Schaltverluste beträchtlich reduziert und dadurch die Motoransteuerungsdesigns vereinfacht.
Der neue 40V-High-Side-Baustein vereint einen Bootstrap-Regler, eine Ladungspumpe und einen High-Side-Treiber in einem einzigen Gehäuse und bietet so eine [...]
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Die derzeit aus drei Mitgliedern bestehende IC-Familie IR115x von International Rectifier ist für den Einsatz in Anwendungen im Leistungsbereich 300 W bis 8kW ausgelegt. Die ICs nutzen die One Cycle Control-Technologie (OCC) und bieten einen hohen Leistungsfaktor (PF), einen niedrigen Gesamtklirrfaktor (THD) sowie eine gute DC-Bus-Regelung. Die ICs wurden für den Betrieb in Boost-PFC-Wandlern im [...]
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