Die 1200V/5A-Schottky-Diode SDB05S120 von SemiSouth Laboratories ist in einem kompakten, oberflächenmontierbaren DPAK-Gehäuse (TO-252) untergebracht, das die für Hochspannungsanwendungen erforderlichen Kriechstrecken bietet und keinen Mittelanschluss benötigt. Das Halbleiterbauteil weist einen positiven Temperaturkoeffizienten auf, wodurch sich Dioden einfacher parallel schalten lassen. Es zeichnet sich durch ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten aus und ist für eine maximale Betriebstemperatur [...]
Weiterlesen... →
Die SiC-JFETs SJEP120R100A und SJEP120R063A von SemiSouth Laboratories sind für High-End-Audioverstärker konzipiert und zeichnen sich deshalb durch hohe Linearität und Verzerrungsarmut aus. Beide Typen sind mit gängigen Gate-Treiber-ICs kompatibel und haben einen positiven Temperaturkoeffizienten, so dass sie problemlos parallelgeschaltet werden können. Weitere Besonderheiten sind eine hohe Schaltgeschwindigkeit, kein ‘Tail’-Strom bis zur maximalen [...]
Weiterlesen... →
SemiSouth hat seine Trench-SiC-JFET-Familie um selbstleitende SiC-JFETs erweitert, die bei 1.200 V einen RDSON (Durchlasswiderstand, Leitungswiderstand) von 45 mOhm aufweisen. Sie wurden für einen Einsatz in Anwendungen wie, Solarwechselrichter, Schaltnetzteile, Induktionsheizungen, USVs, Windkraftanwendungen und Motorsteuerungen, entwickelt.
Der niedrige RDSON wird durch eine relativ kleine Chipfläche erreicht, die dank geringer Gatespannung und Eigenkapazität effizienten [...]
Weiterlesen... →
Mit „The Silicon Carbide JFET in 3 Phase Power Supplies“ hat Nigel Springett von SemiSouth seinen englischsprachigen Beitrag überschrieben, der am Beispiel des Einsatzes von SiC JFETs (SiC, Sillicon Carbide) in dreiphasigen Stromversorgungen zeigen soll, dass Siliziumkarbidprodukte dabei sind, nicht mehr nur in „exotischen“ Anwendungen wie Bohrlochverdichtern, Solarumrichter für Satelliten, Steuerungen für Düsenantriebe und Waffensysteme Verwendung finden, sondern auch in Mainstream-Anwendungen (Umrichter für Industrie-, Solar- und Windanlagen) Einzug halten.
Im ersten Hauptteil des Artikels vergleicht der Autor zwei dreiphasige 4-kW-Stromversorgungen, jeweils mit Boost-Eingang (800 V) und einem Resonanzübertrager in der Ausgangsstufe. Die Ausgangsspannung wird über die Schaltfrequenz variiert. Die Schaltung soll nominell mit einem Duty-Cycle von 50% (um 125 kHz) betrieben werden. Die erste Implementierung wurde mit 1.200V-SiC-JFETs (80 mOhm) realisiert und die Zweite mit der „besten verfügbaren Alternative“, 600V-Superjunction-MOSFETs.
Der zweite Hauptteil ist der Betrachtung möglicher Alternativen gewidmet.
Zum Schluss des Artikels beleuchtet der Autor die SiC-JFET-Technik von SemiSouth, deren Besonderheit vertikale Kanalstrukturen sind. Dadurch kann das Unternehmen einen Zellenabstand (Cell Pitch) unter 4 µm realisieren und so Die-Größen erreichen, die um den Faktor fünf bis zehn kleiner sind als die der besten, vergleichbaren Si-MOSFETs für den gleichen Spannungsbereich.
Weiterlesen... →