Das Online-Werkzeug Supply WebDesigner (PSW) von Fairchild Semiconductor soll Entwickler in die Lage versetzten, schnell und einfach eine Flyback-Schaltung erstellen und optimieren zu können, ohne Stromversorgungsexperte zu sein.
Anhand vom Anwender vorgegebenen Eckdaten unterstützt das Power Supply WebDesigner Tool den Entwickler bei der Auswahl aller Komponenten im Design einschließlich MOSFET, Dioden, Transformatoren, Snubber-Schaltung, Ausgangsfilter, [...]
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Moderne digitale ICs arbeiten mit immer niedrigeren Versorgungsspannungen bei gleichzeitig ansteigenden Strömen. Konventionelle zentrale (CPA), verteilte (distributed, DPA) oder Intermediate-Bus-Architekturen (IBA) stoßen dabei an ihre Grenzen. Robert Marchetti von Vicor schlägt in seinem Beitrag „Grenzenlose Power“ als Lösung die ‚Factorized-Power’-Architektur vor.
Der Beitrag von Reinhard Zimmermann (Recom Electronic GmbH) besteht aus zwei Teilen. Im ersten Teil werden die Anforderungen an DC/DC-Wandler für den Einsatz in der Medizintechnik beleuchtet, die sich aus der UL-Norm 60601 im Hinblick auf die verstärkte Isolation (Reinforced Insulation) ergeben. Die Norm sieht hier Luft- und Kriechstrecken vor, die größer sein müssen als bei einem einfach isolierten Trafo. Bisher bedeutete dies, dass sich die Magnetfelder des Trafos nicht mehr optimal überlagern und sich der Wirkungsgrad verschlechtert. Im zweiten Teil des Beitrags stellt der Autor ein Trafokonzept vor, bei dem die Primär- und Sekundärwicklungen durch konstruktive Maßnahmen unter Einhaltung der vorgegebenen Werte für Luft- und Kriechstrecken so verschachtelt sind, dass sich die Magnetfelder nahezu optimal überlappen.
JR’s Urteil: Recht informativ aber nichts wirklich Neues. Auch ein Jahr nach der ersten Ankündigung wird nichts Konkretes über die Reinforced-Insulation-Technik verraten, obwohl sie patentrechtlich geschützt ist und somit ohnehin beim Patentamt von jedermann eingesehen werden kann.
Weiterlesen... →Der synchrone SWIFT-Wandler TPS56221 (25 A, 14 V) von Texas Instruments mit integrierten NexFET-MOSFETs erreicht eine Leistungsdichte von mehr als 200 W/Zoll³ und mehr als 90 Prozent Effizienz bei hoher Belastung (12 V Eingangsspannung, 1,3V Ausgangsspannung). Dabei wird ein kontinuierlicher Ausgangsstrom von bis zu 25 A bei einer Schaltfrequenz von 500 kHz bereitgestellt. [...]
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